ISO 21820:2021 Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) – Ultraviolet photoluminescence image test method for analysing polytypes of boron- and nitrogen-doped SiC crystals

เซรามิกสมัยใหม่

มาตฐานนี้ระบุวิธีการทดสอบเพื่อกำหนดพอลิไทป์และอัตราส่วนของโพลีไทป์ในเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) หรือผลึกจำนวนมากโดยใช้การถ่ายภาพด้วยแสงอัลตราไวโอเลตโฟโตลูมิเนสเซนซ์ (UVPL) ช่วงของ SiC นั้นจำกัดอยู่ที่ SiC ของเซมิคอนดักเตอร์ที่เจือด้วยไนโตรเจนและโบรอนเพื่อให้มีระดับตัวรับที่ลึกและระดับผู้บริจาคที่ตื้นตามลำดับ เวเฟอร์ SiC หรือผลึกจำนวนมากที่กล่าวถึงในเอกสารนี้ โดยปกติแล้วจะแสดงค่าความต้านทานไฟฟ้าตั้งแต่ 10−3 โอห์ม • ซม. ถึง 10−2 โอห์ม • ซม. ซึ่งใช้ได้กับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง

วิธีนี้ใช้ได้กับพอลิไทป์ SiC-crystal 4H, 6H และ 15R ที่มีโบรอนและไนโตรเจนเป็นตัวรับและผู้ให้ตามลำดับที่ความเข้มข้นที่สร้างคู่ผู้ให้-ตัวรับ (DAP) เพื่อสร้าง UVPL ใน 4H-SiC ความเข้มข้นของโบรอนและไนโตรเจนโดยทั่วไปอยู่ในช่วง 1016 cm-3 ถึง 1018 cm-3 SiC กึ่งฉนวนไม่เป็นปัญหาเพราะมักจะมีโบรอนและไนโตรเจนน้อยที่สุด จึงไม่สามารถบรรลุระดับลึกได้

แหล่งข้อมูล:
https://www.iso.org/standard/71876.html