Search มาตรฐานและกฎระเบียบ

ISO 5618-2:2024 Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for GaN crystal surface defects Part 2: Method for determining etch pit density

ประเทศเกี่ยวข้อง
สหภาพยุโรป,สหรัฐอเมริกา,อื่นๆ
สาขาอุตสาหกรรมสินค้า
อุตสาหกรรมเซรามิก
วันที่บังคับใช้
2024-04-30
มาตรฐานประเภท
สมัครใจ
ขอบข่าย

เซรามิกชั้นดี

สรุปรายละเอียดสำคัญ

มาตรฐานนี้อธิบายวิธีการกำหนดความหนาแน่นของหลุมจำหลัก ซึ่งใช้ในการตรวจจับความคลาดเคลื่อนและข้อบกพร่องที่เกิดจากการประมวลผลที่เกิดขึ้นบนพื้นผิว GaN ผลึกเดี่ยวหรือฟิล์ม GaN ผลึกเดี่ยว ใช้ได้กับข้อบกพร่องที่ระบุใน ISO 5618-1 จากข้อบกพร่องที่ปรากฏบนพื้นผิวของซับสเตรตหรือฟิล์ม GaN ประเภทต่อไปนี้: ซับสเตรต GaN แบบผลึกเดี่ยว; ฟิล์ม GaN ผลึกเดี่ยวที่เกิดขึ้นจากการเจริญเติบโตแบบโฮโมอีพิแทกเซียลบนพื้นผิว GaN ผลึกเดี่ยว หรือฟิล์ม GaN ผลึกเดี่ยวที่เกิดขึ้นจากการเจริญเติบโตแบบเฮเทอโรเอปิแอกเซียลบนสารตั้งต้น Al2O3, SiC หรือ Si ผลึกเดี่ยว ใช้ได้กับข้อบกพร่องที่มีความหนาแน่นของหลุมกัดกร่อน ≤ 7 × 107 cm-2
แหล่งข้อมูล:
https://www.iso.org/standard/83694.html